厨房小用品劲霸电磁炉加热原理

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  • 2025年05月13日
  • 劲霸电磁炉加热原理 在电磁炉内部,整流电路将50/60Hz的交流电压转换成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压。高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场。当磁力线通过金属器皿底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿内的东西。 特殊零件简介 2.1.1 LM339集成電路 LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器

厨房小用品劲霸电磁炉加热原理

劲霸电磁炉加热原理

在电磁炉内部,整流电路将50/60Hz的交流电压转换成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压。高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场。当磁力线通过金属器皿底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿内的东西。

特殊零件简介

2.1.1 LM339集成電路

LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器,当输入端正向时(+输入端高于-输入端),三极管截止,输出端相当于开路;当输入端反向时(-输入端高于+输入端),三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,输出端为0V。

2.1.2 IGBT

绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,一种集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激励场控型器件優點於一體的大功率、高速度大功率半導體器件。IGBT有三个電極(见上图):栅極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極)。

从IGBT特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,即于高压大電流工作时,导通電阻大,熱量產生大量,加速其损坏。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。开关速度快,在瞬态功率较高时不会受损坏,是一种优良的高速、高效、耐用性好的半导体设备。

458系列因应不同机种采用的不同规格IGBT参数如下:

(1) SGW25N120----西门子公司出品,对应耐压1200V, 电流量容量25℃时46A,100℃时25A,不带阻尼二极管。

(2) SKW25N120----西门子公司出品,对应耐压1200V, 电流量容量25℃时46A,100℃时25A带有阻尼二极管。

(3) GT40Q321----东芝公司出品,对应耐压1500V, 电流量容量25℃45A,100℃23A带有阻尼二极管。

(4) GT40T101----东芝公司出品,对应耐壓1500V, 电流量容量25℃80A,100℃40A不帶阻尼二极管。

(5) GT60M303 ----东芝公司出品,对應耐壓900V , 电流量容量30°C時90阿姆培、85°C時55阿姆培带有阻尼二极管。

使用这些特殊零件,可以制造出具有更佳性能和效能的一款劍閃專業級別厨房小用品——劍閃專業級別電子爐灶。

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