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劲霸电磁炉加热原理
在电磁炉内部，整流电路将50/60Hz的交流电压转换成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压。高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场。当磁力线通过金属器皿底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。
特殊零件简介
2.1.1 LM339集成電路
LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器，当输入端正向时（+输入端高于-输入端），三极管截止，输出端相当于开路；当输入端反向时（-输入端高于+输入端），三极管导通，将比较器外部接入输出端的电压拉低，输出端为0V。
2.1.2 IGBT
绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT，一种集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激励场控型器件優點於一體的大功率、高速度大功率半導體器件。IGBT有三个電極（见上图）分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集電極C（亦稱漏極）及發射極E（也稱源極）。
从IGBT特点中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，即在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通電阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。它具有以下优点：
电流密度大，是MOSFET的大。
输入阻抗高，栅驱动功率小，驱动电子简单。
低导通電阻，在给定芯片尺寸和BVceo下，不大于MOSFET Rds(on) 的10%。
击穿额定值较高，在瞬态功率较高时不会受损坏。
开关速度快，对应100KHz以上，可以实现快速开关操作。
458系列因应不同机种采用的不同规格IGBT参数如下：
(1) SGW25N120 ---- 西门子公司出品，耐压1200V, 电流量容量25℃时46A, 100℃时25A, 内部不带阻尼二极管，所以应用需配套6A/1200V以上快速恢复二极管(D11)，该IGBT配套6A/1200V以上快速恢复二极管后可代用SKW25N120。
(2) SKW25N120 ---- 西门子公司出品，与SGW25N120相同，但内部带有阻尼二级泵，该IGBT可代用SGW25N120，但请拆除原配套D11快速恢复二级泵不装。
(3) GT40Q321 ---- 东芝公司出品，与SKW25N120相同，但耐压试验值稍低，该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120，但请拆除原配套D11快速恢复二级泵不装。
(4) GT40T101 ---- 东芝公司出品，与GT40Q321相同但耐压试验值更高，该IGBT与其它任何一个可以直接替换使用，无需拆除任何辅助元件，只要确保系统能承受最大工作条件即可。
这些特性使得IGBT成为一种优秀的地面设备。在实际应用中，它们被广泛用于各种需要大量能量处理的地方，如变频调速、逆变系统以及其他需要精细控制能力的地方。