厨房水槽加热原理

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  • 2025年05月13日
  • 劲霸电磁炉加热原理 在电磁炉内部,整流电路将50/60Hz的交流电压转换成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压。高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场。当磁力线通过金属器皿底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿内的东西。 特殊零件简介 2.1.1 LM339集成電路 LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器

厨房水槽加热原理

劲霸电磁炉加热原理

在电磁炉内部,整流电路将50/60Hz的交流电压转换成直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压。高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场。当磁力线通过金属器皿底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发热,然后再加热器皿内的东西。

特殊零件简介

2.1.1 LM339集成電路

LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器,当输入端正向时(+输入端高于-输入端),三极管截止,输出端相当于开路;当输入端反向时(-输入端高于+输入端),三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,输出端为0V。

2.1.2 IGBT

绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,一种集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激励场控型器件優點於一體的大功率、高速度大功率半導體器件。IGBT有三个電極(见上图)分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極)。

从IGBT特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,即在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通電阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。它具有以下优点: 1. 电流密度大,是MOSFET的大30倍以上; 2. 输入阻抗高,栅驱动功率小,驱动电路简单; 3. 导通时间短,在100A级别IGBT中可以达到微秒级;4 开关损耗较少,对温度适应性好。

458系列因应不同机种采取了不同规格的IGBT,它们参数如下:

(1) SGW25N120----西门子公司出品,可耐1200V,容量46A@25℃,23A@100℃。

(2) SKW25N120----西门子公司出品,可耐1200V,容量46A@25℃,23A@100℃。

(3) GT40Q321----东芝公司出品,可耐1500V,容量42A@25℃,23A@100℃。

(4) GT40T101----东芝公司出品,可耐1500V,容量80A@25℃,40A@100℃。

(5) GT40T301----东芝公司出品,可耐1500V,容量80A@25℃,40A@100℃。

(6) GT60M303 ----东芝公司出品,可耐900V,容量120A@25℃,60 @100°C。

使用这些特定的IGBT与配套二极管配合,可以实现更好的开关性能和效能。此外,还需要注意的是,由于不同的应用环境可能对工作条件有所要求,因此在实际操作中应根据具体情况选择合适型号并进行调整以保证最佳性能。

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