劲霸电磁炉加热原理
电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在力建设内部，由整流电路将50/60Hz的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流電壓轉換成頻率為20-40KHz的高频電壓，高速變化的電流流過線圈會產生高速變化的磁場，当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。
特殊零件简介
2.1.1 LM339集成電路
LM339內置四個翻轉電壓為6mV的電壓比較器,當電壓比較器輸入端電壓正向時(+輸入端電壓高於-入輸输端電圧), 置于LM339内部控制输出端三极管截止, 此时输出端相当于开路; 当输入端逆向时(-输入端电子波动性比+输入端电子波动性大), 置于LM339内部控制输出终点三极管导通, 将比较器外部接入输出终点电子波动性的下降到0V。
2.1.2 IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)
绝缘栅双极晶体管（IGBT）简称IGBT，是一种集BJT的大功率和MOSFET等低驱动功率优点于一体的大功率半导体开关。目前有用不同材料及工艺制作IGBT，但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体放大的复合结构。IGBT有三个要素：分别称为栅极G、集发射極E（亦稱源極）及發射極C（亦稱漏極）。从IGBT特點中可知，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，即在高压大当前工作时，導通阻抗大，發熱嚴重，效率下降。
4.5击穿力度强烈，与传统GTR相比其击穿速度快，有助提高系统整體效能。此外，由於其具有快速恢复时间，可以减少二次谐振现象，从而进一步增强系统稳定性。
从上述特點可以看出，在给定芯片尺寸和BVceo条件下，其導通阻抗Rce(on)不大于MOSFET Rds(on) 的10%。此外，该设备具有较小大小、轻量级设计，这使得它在各种应用中都表现出色，并且由于其能够承受更高温度，因此也更加耐用。此外，该设备还提供了良好的防护功能，以确保在恶劣环境中的持续运行能力。
虽然IGBT与其他类型的一些性能指标相似，但它仍然是市场上最受欢迎的一种产品之一。这主要是因为它提供了最佳权衡之间性能与成本，以及对各种应用程序非常灵活。此外，它们通常支持远程监控和管理，这对于维护员来说非常方便，因为他们可以检查并修复问题，而无需物理访问设备本身。
总结：
尽管IGBT有一些局限性，比如成本可能更高以及某些情况下的损耗略微增加，但是这些缺点通常被认为是值得接受的，因为它们带来的好处远远超过了这些潜在的问题。因此，对于寻求最高效能、高可靠性的用户来说，选择IGBT作为解决方案通常是一个明智之举。